Аутори:
1. Јован Шетрајчић, Академија наука и умјетности Републике Српске, Serbia
2. Sinisa Vucenovic, Republic of Srpska, Bosnia and Herzegovina
3. Стево Јаћимовски,

Апстракт:
Транслациона симетрија дстрибуције система атома (јона) и носилаца наелектрисања (електрона или шупљина) нарушена је распршењем (допирањем) и због постојања двеју граничних површи. Ово је модел високотемпературних суперпроводника у којима се уочено нарушење симетрије ортогонално на CuO раван третира као пертурбација. Одређене су једночестичне фермионске таласне функције и могуће енергије носиоца наелектрисања. Конкурентно постојање суперпроводних и нормалних области у таквом узорку приказано је у сагласности са експерименталним подацима. Добијени су и размотрени услови за формирање суперпроводниһ стања и граничне вредности густине струје у равнима паралелним са граничним површима (у CuO равнима).

Кључне речи:
Кристали,танки филмови,електрони,спектар енергетских стања,ефективна маса носилаца наелектрисања.,Crystals,ultrathin films,electrons,dispersion law,localized states.

Тематска област:
СИМПОЗИЈУМ А - Наука материје, кондензоване материје и физикa чврстог стања

Датум пријаве сажетка:
02.07.2024.

Конференцијa:
Contemporary Materials 2024 - Savremeni Materijali